Trimethylgallium

Trimethylgallium mit der Konstitutionsformel Ga(CH₃)₃, auch als TMG oder als TMGa bezeichnet, ist eine metallorganische Verbindung des Galliums.

Darstellung

Trimethylgallium kann durch die Umsetzung von Galliumtrichlorid mit Dimethylzink bei 120 °C gewonnen werden.

$\mathrm{2}\mathrm{G}\mathrm{a}\mathrm{C}{\mathrm{l}}_{\mathrm{3}}\mathrm{+}\mathrm{3}\mathrm{(}\mathrm{C}{\mathrm{H}}_{\mathrm{3}}{\mathrm{)}}_{\mathrm{2}}\mathrm{Z}\mathrm{n}\mathrm{\to }\mathrm{2}\mathrm{G}\mathrm{a}\mathrm{(}\mathrm{C}{\mathrm{H}}_{\mathrm{3}}{\mathrm{)}}_{\mathrm{3}}\mathrm{+}\mathrm{3}\mathrm{Z}\mathrm{n}\mathrm{C}{\mathrm{l}}_{\mathrm{2}}$

Eine Reaktion von Methylmagnesiumchlorid mit Galliumtrichlorid in Diethylether führt zu Trimethylgallium monodiethyletherat, dem Diethyletheradukt des Trimethylgallium.

Eigenschaften

Es ist bei Raumtemperatur eine klare, farblose Flüssigkeit, welche an Luft selbstentzündlich ist und mit Wasser heftig reagiert. Trimethylgallium muss unter trockener Schutzgasatmosphäre bei Temperaturen unter 25 °C gelagert und gehandhabt werden.

Verwendung

Trimethylgallium dient im Rahmen der metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) als Galliumquelle zur Herstellung von Verbindungshalbleitern wie Galliumphosphid (GaP), Galliumarsenid (GaAs), Galliumantimonid (GaSb), Galliumnitrid (GaN) und Indiumgalliumnitrid (In_xGa_1−xN), die unter anderem im Bereich der Optoelektronik Ausgangsstoffe für die Herstellung von Leuchtdioden sind.