Suchergebnisse
Zur Navigation springen
Zur Suche springen
Übereinstimmungen mit Seitentiteln
- …bildet sich anstatt eines [[p-n-Übergang]]s ein gleichrichtender [[Metall-Halbleiter-Übergang]] ([[Schottky-Übergang]]) aus, denn das Metall des Gates berührt… …2 KB (316 Wörter) - 17:54, 1. Jan. 2024
- Ein '''Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor''' (englisch {{lang|en|metal-oxide-semiconductor field …e'' ([[Isolierschicht-Feldeffekttransistor|IGFET]]) bzw. [[Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor]]en (MISFET). …54 KB (7.187 Wörter) - 14:01, 6. Mär. 2025
- Die '''Metall-Isolator-[[Halbleiter]]-Struktur''' (engl. {{lang|en|metal insulator semiconductor}}, kurz '''MIS …che Anwendungsbeispiele sind der [[MIS-Kondensator]] und der [[Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor|MOS-Feldeffekttransistor]]. …5 KB (621 Wörter) - 18:17, 28. Apr. 2024
Übereinstimmungen mit Inhalten
- …[Ladungsträger (Physik)|Ladungsträgerart]] eines [[Dotierung|dotierten]] [[Halbleiter]]s, die aufgrund der Dotierung häufiger vorkommt als die [[Minoritätsladung …odell#Isolatoren und Halbleiter|Donatoren]] beziehungsweise [[Bändermodell#Halbleiter|Akzeptoren]] ionisiert sind ([[Störstellenerschöpfung]]). Dies führt im Fal …2 KB (314 Wörter) - 21:40, 2. Aug. 2020
- Die '''Metall-Isolator-[[Halbleiter]]-Struktur''' (engl. {{lang|en|metal insulator semiconductor}}, kurz '''MIS …che Anwendungsbeispiele sind der [[MIS-Kondensator]] und der [[Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor|MOS-Feldeffekttransistor]]. …5 KB (621 Wörter) - 18:17, 28. Apr. 2024
- …en und Halbleiter|Elektronendonatoren]] oder [[Bändermodell#Isolatoren und Halbleiter|Elektronenakzeptoren]]) im Halbleiterkristall ionisiert sind. Wird diese '' …m Halbleiter DE.svg|thumb|Leitungsmechanismen im dotierten und undotiertem Halbleiter in Abhängigkeit von der Temperatur]] …4 KB (600 Wörter) - 21:49, 3. Sep. 2019
- …isch]]en (keine [[Störstelle]]n enthaltenden, un[[Dotierung|dotierten]]) [[Halbleiter]]s. Beim dotierten Halbleiter weicht das Fermi-Niveau vom intrinsischen Fermi-Niveau ab. …2 KB (265 Wörter) - 08:10, 16. Jul. 2020
- …rstellenerschöpfung''' ist ein Begriff aus der [[Festkörperphysik]] bzw. [[Halbleiter]]elektronik. Er kennzeichnet bei der [[Störstellenleitung]] (einem Leitungs …durch Störstellen verursachte Energieniveaus in der [[Energielücke]] von [[Halbleiter]]n noch teilweise besetzt sind. …5 KB (630 Wörter) - 20:39, 14. Nov. 2023
- …ndium]] und [[Arsen]]. Sie ist ein [[Halbleiter]] und zählt zu den [[III-V-Halbleiter]]n. Wie andere [[III-V-Halbleiter]] findet Indiumarsenid Anwendung in der Halbleiterindustrie. Es wird für [[ …4 KB (372 Wörter) - 23:14, 11. Mai 2022
- …30.</ref> die der vereinfachten mathematischen Behandlung der Vorgänge im Halbleiter dient. Der reale Ladungstransport findet weiterhin durch [[Elektron]]en sta == Im undotierten Halbleiter == …8 KB (1.107 Wörter) - 20:56, 10. Jul. 2024
- Es handelt sich um eine selten genutzte Maßeinheit, die jedoch in der [[Halbleiter]]technik ihre Anwendung findet, speziell bei Angaben zum Flächeninhalt von …1 KB (163 Wörter) - 12:15, 14. Dez. 2015
- …ist vor allem in der [[Halbleiter]]industrie ein Maß für die Qualität von Halbleiter-[[Wafer]]n. …n, die mit [[Infrarotstrahlung|IR-Licht]] arbeiten, bestimmt werden. Viele Halbleiter sind in diesem Spektralbereich [[Transparenz (Physik)|transparent]] – die… …4 KB (483 Wörter) - 08:30, 12. Nov. 2023
- …bildet sich anstatt eines [[p-n-Übergang]]s ein gleichrichtender [[Metall-Halbleiter-Übergang]] ([[Schottky-Übergang]]) aus, denn das Metall des Gates berührt… …2 KB (316 Wörter) - 17:54, 1. Jan. 2024
- == Halbleiter und Isolatoren == Bei [[Halbleiter]]n oder [[Nichtleiter|Isolatoren]] ist das Auftreten der Absorptionskante… …5 KB (589 Wörter) - 16:40, 26. Aug. 2024
- …[Elektrisches Bauelement|elektrischen Bauelementen]] eingesetzt, die auf [[Halbleiter]]n basieren. …l individualisiert und auf ein bestimmtes [[Datenblatt]] festlegt. Ist ein Halbleiter mit 3 Buchstaben gekennzeichnet, dann ist die folgende Ziffernkombination… …5 KB (552 Wörter) - 10:53, 1. Nov. 2024
- …ert (Großsignal-Antwort):<ref name="TS">Ulrich Tietze, Christoph Schenk: ''Halbleiter-Schaltungstechnik.'' 10. Auflage. Springer, 1993, S. 151.</ref><ref na …gsweise, Eigenschaften, und praktischer Einsatz diskreter und integrierter Halbleiter-Bauelemente.'' 4. Auflage, Springer Vieweg, 2019, S. 500ff.</ref> …4 KB (587 Wörter) - 10:08, 22. Jan. 2024
- …hottky-Diode|Schottky-Barriere]] an der Grenzfläche eines Metalls zu einem Halbleiter mit einer Nanometer-hohen lateralen Auflösung untersuchen. …tallfilm auf einem Halbleitersubstrat besteht. Zwischen dem Metall und dem Halbleiter bildet sich eine Schottky-Barriere <math>\varphi_\text{SB}</math> aus, die …4 KB (527 Wörter) - 14:35, 24. Mär. 2024
- In der [[Halbleiter]]technologie werden Quantentöpfe hergestellt, indem eine Schicht eines Halb {{Siehe auch|Festkörperphysik|Halbleiter}} …3 KB (400 Wörter) - 16:53, 22. Apr. 2024
- …tor''' (OFET) ist ein [[Feldeffekttransistor]] (FET), der mindestens als [[Halbleiter]] ein [[Organische Chemie|organisches]] Material nutzt. Die Entdeckung von [[Organische Halbleiter|organischen Halbleitern]] lässt auf neue Anwendungsbereiche von z. B. …7 KB (951 Wörter) - 13:01, 30. Dez. 2024
- …räger ist anwendbar auf [[Plasma (Physik)|Plasmen]], [[Elektrolyt]]e und [[Halbleiter]]. Für einen [[Halbleiter #Donatoren und Akzeptoren|n-Typ-Halbleiter]] gilt: …6 KB (900 Wörter) - 10:56, 20. Jan. 2024
- …r Bestimmung der [[Diffusion]]slänge von [[Minoritätsladungsträger]]n in [[Halbleiter]]n. Da der Transport von Minoritätsladungsträgern das Verhalten der [[P-n-Ü …Oberflächenpotential. Wenn eine Lichtquelle Elektronen-Loch-Paare tief im Halbleiter erzeugt, müssen diese durch den Bulk diffundieren, bevor sie die Oberfläche …7 KB (955 Wörter) - 21:49, 19. Mär. 2021
- …det. Damit unterscheidet sich der nichtlineare Schottky-Kontakt von Metall-Halbleiter-Übergängen unter anderen Bedingungen, wie beispielsweise dem [[Ohmscher Kon …mals 1874 von [[Ferdinand Braun]] beobachtet. Anfangs bestanden die Metall-Halbleiter-Übergänge aus punktförmigen Kontakten, die mit einem angespitzten Metalldra …12 KB (1.632 Wörter) - 16:43, 2. Okt. 2024
- …tall-[[Vakuum]]-Grenzfläche) und auch bei [[Schottky-Kontakt]]en (Metall-[[Halbleiter]]-Kontakten) wie in den [[Schottky-Diode]]n auf. Der Effekt wurde nach dem Das obige Prinzip gilt auch an Metall-Halbleiter-Grenzschichten. Das „äußere“ Feld existiert in diesem Fall selbst mit kurzg …4 KB (555 Wörter) - 12:31, 4. Feb. 2025