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- [[Kategorie:Halbleiterbauelement]] …2 KB (314 Wörter) - 21:40, 2. Aug. 2020
- …en ([[Junction Field Effect Transistor|JFET]]) gehörendes elektronisches [[Halbleiterbauelement]]. Im Aufbau ähnelt er einem n-Kanal-JFET, jedoch tritt an die Stelle des… …2 KB (316 Wörter) - 17:54, 1. Jan. 2024
- Beispiele für [[Nichtlinearer Widerstand|nichtlineare Widerstände]] sind [[Halbleiterbauelement]]e und magnetische Bauelemente ([[Drossel (Elektrotechnik)|Drosseln]], [[Tr …3 KB (406 Wörter) - 15:23, 26. Feb. 2025
- …annt), ist ein [[Hochfrequenz]]-[[Liste elektronischer Bauteile#Halbleiter|Halbleiterbauelement]], das in bestimmten Spannungsbereichen einen [[Differentieller Widerstand| [[Kategorie:Halbleiterbauelement]] …6 KB (822 Wörter) - 17:04, 31. Jan. 2023
- …Leiters]] oder der aktiven Zone am [[Die (Halbleitertechnik)|Die]] eines [[Halbleiterbauelement]]es dort zu einem Temperaturanstieg <math>\Delta T</math>: …4 KB (493 Wörter) - 13:54, 18. Feb. 2025
- [[Kategorie:Halbleiterbauelement]] …5 KB (552 Wörter) - 10:53, 1. Nov. 2024
- …nus]]förmigen Signalverlauf bedeutsam. Ihre wichtigsten Verursacher sind [[Halbleiterbauelement]]e und magnetische Bauelemente ([[Drossel (Elektrotechnik)|Drosseln]], [[Tr …4 KB (533 Wörter) - 11:48, 19. Mär. 2023
- [[Kategorie:Halbleiterbauelement]] …4 KB (576 Wörter) - 17:25, 20. Jan. 2024
- In [[Halbleiterbauelement|Halbleitern]] wird die Durchschlagspannung als Durchbruchspannung oder [[Sp …5 KB (638 Wörter) - 18:51, 18. Jun. 2023
- [[Kategorie:Halbleiterbauelement]] …4 KB (581 Wörter) - 18:34, 13. Feb. 2024
- [[Kategorie:Halbleiterbauelement]] …6 KB (747 Wörter) - 16:13, 24. Mai 2024
- [[Kategorie:Halbleiterbauelement]] …5 KB (736 Wörter) - 15:02, 16. Okt. 2024
- *Die Entstehungsmechanismen und Auswirkungen von [[Raumladungszone]]n in [[Halbleiterbauelement]]en ([[Diode]], [[Transistor]]) sind im Hauptartikel [[p-n-Übergang]] besch …6 KB (752 Wörter) - 20:06, 18. Mär. 2024
- [[Kategorie:Halbleiterbauelement]] …6 KB (840 Wörter) - 15:11, 14. Dez. 2024
- …gleichzeitig der hohen Wärmeleitfähigkeit zur Ableitung von Abwärme bei [[Halbleiterbauelement]]e und weiters in der [[Reaktortechnik]] verwendet (Beryllium ist ein exzel …8 KB (953 Wörter) - 00:59, 15. Okt. 2024
- [[Kategorie:Halbleiterbauelement]] …15 KB (1.955 Wörter) - 09:38, 9. Feb. 2025
- …mt|DPMA]] mit dem Titel: ''Halbleitereinrichtung'' (später ''Verstärkendes Halbleiterbauelement'' genannt).<ref>{{Patent|Land = DE|V-Nr = 1439921 | Code = A|Titel =Halblei …18 KB (2.228 Wörter) - 07:35, 25. Feb. 2025
- == Die LED als Halbleiterbauelement == …fladung überschritten werden kann. Daher sind für den Umgang mit LED als [[Halbleiterbauelement]] Vorkehrungen zum Schutz vor [[Elektrostatische Entladung|elektrostatische …66 KB (8.631 Wörter) - 09:17, 14. Mär. 2025
- …Leo Esaki]] die erste [[Tunneldiode]], ein elektronisches [[Hochfrequenz]]-Halbleiterbauelement mit negativem [[Differentieller Widerstand|differentiellen Widerstand]]. Er …24 KB (3.193 Wörter) - 14:26, 5. Feb. 2025
- …e und damit „neue“ Frequenzen. In der Regel sind auch die Kennlinien von [[Halbleiterbauelement]]en nichtlinear. Sofern diese allerdings mit [[Kleinsignalverhalten|kleinen …41 KB (5.913 Wörter) - 10:36, 2. Apr. 2024