Huang-Rhys-Faktor

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Der dimensionslose Huang-Rhys-Faktor S ist ein Maß für die Wechselwirkung der Elektronen, die an Störstellen wie Farbzentren in einem Kristall gebunden sind, mit den Phononen des Kristalls. Der Faktor gibt die im Mittel bei einem elektronischen Übergang emittierten Phononen an.

Ein weiteres Beispiel der Anwendung des Huang-Rhys-Faktors ist die Wechselwirkung von Molekülschwingungen mit elektronischen Anregungen.

Der Huang-Rhys-Faktor ist gegeben durch:

S=ΔE2Ephon

mit

Manchmal wird auch angegeben:

S=ΔE2Ephon+12

Beide Werte sind nur angenähert gültig und je nach Temperatur treten auch Zwischenwerte auf.[1]

Literatur

Einzelnachweise

  1. Mathijs de Jong u. a.: Resolving the ambiguity in the relation between Stokes shift and Huang–Rhys parameter, Physical Chemistry Chemical Physics, Band 17, 2015, S. 16959–16969, Abstract