Datei:Scheme of n-metal oxide semiconductor field-effect transistor with channel de.svg

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Originaldatei (SVG-Datei, Basisgröße: 625 × 400 Pixel, Dateigröße: 27 KB)

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Beschreibung

Beschreibung
English: Lateral cut of a metal oxide semiconductor field-effect transistor with the channel. Coloured, with german descriptions
Deutsch: Eingefärbtes Schema eines n-Kanal w:de:MOSFET. Die Anschlüsse sind:
  • S: Source (engl. für „Zufluss“, „Quelle“)
  • G: Gate (engl. für „Tor“, „Gatter“)
  • D: Drain (engl. für „Abfluss“)
  • B: Bulk/Substrat

Mit steigender Spannung zwischen Gate und Bulk bzw. Substrat (hier rot dargestellt) werden dabei zuerst die Majoritätsladungsträger verdrängt und es bildet sich durch Ladungsträger-Verarmung ein nichtleitendes Gebiet. Steigt die Spannung weiter, kommt es zur Inversion, das p-dotierte Substrat wird unterhalb des Gates n-leitend und bildet einen leitenden Kanal zwischen Source und Drain.

('+' bedeutet in dieser Abbildung starke Dotierung.)
Datum
Quelle Eigenes Werk
Urheber Arne Nordmann (norro}
w:de:Creative Commons
Namensnennung Weitergabe unter gleichen Bedingungen
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aktuell20:10, 3. Mai 2006Vorschaubild der Version vom 20:10, 3. Mai 2006625 × 400 (27 KB)wikimediacommons>Norrosmall mistake

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