Datei:FBH GaN High electron mobility transistor.jpg

Aus testwiki
Zur Navigation springen Zur Suche springen
Originaldatei (4.752 × 3.168 Pixel, Dateigröße: 8,26 MB, MIME-Typ: image/jpeg)

Diese Datei stammt aus Wikimedia Commons und kann von anderen Projekten verwendet werden. Die Beschreibung von deren Dateibeschreibungsseite wird unten angezeigt.

Beschreibung

Beschreibung
English: GaN high electron mobility transistor
Datum
Quelle Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik
Urheber FBH/P.Immerz
Genehmigung
(Weiternutzung dieser Datei)

In diesem Bild wird eine Münze als Größenvergleich verwendet.

Bitte verwende als Größenvergleich keine Gegenstände wie Münzen, da jemand, der mit der speziellen Währung nicht vertraut ist, vermutlich keine Ahnung von der Größe des Vergleichsgegenstandes hat. Daher kann er auch die Größe des eigentlichen Objektes nicht schätzen. Gerade bei Münzen ist die Bekanntheit stark geografisch abhängig.

Als Vergleich kann ein Lineal dienen, das zusammen mit dem Gegenstand fotografiert wird. Oder man fügt mit einem Bildbearbeitungsprogramm eine Markierung ein, idealerweise im Metrischen System, da es am weitesten verbreitet ist.

Beispiele für gute Angaben: mit Lineal und mit eingezeichneter Größe.

Beispiele für schlechte Vergleiche: hier.

Münzdurchmesser als Referenz:

  • US-Dollar:
    • 1¢: 19,05 mm
    • 5¢: 21,21 mm
    • 10¢: 17,91 mm
    • 25¢: 24,26 mm
    • 50¢: 30,61 mm
    • $1: 26,5 mm
  • Kanadische Dollar:
    • 1¢: 19,05 mm
    • 5¢: 21,2 mm
    • 10¢: 18,03 mm
    • 25¢: 23,88 mm
    • 50¢: 27,13 mm
    • $1: 26,5 mm
    • $2: 28 mm
  • Pfund Sterling:
    • 1p: 20,32 mm
    • 2p: 25,91 mm
    • 5p: 18 mm
    • 10p: 24,5 mm
    • 20p: 21,4 mm
    • 50p: 27,3 mm
    • £1: 23,03–23,43 mm
    • £2: 28,4 mm
  • Euro:
    • 1c: 16,25 mm
    • 2c: 18,75 mm
    • 5c: 21,25 mm
    • 10c: 19,75 mm
    • 20c: 22,25 mm
    • 50c: 24,25 mm
    • €1: 23,25 mm
    • €2: 25,75 mm

Deutsch ∙ English ∙ español ∙ suomi ∙ français ∙ Gaeilge ∙ עברית ∙ magyar ∙ italiano ∙ 日本語 ∙ 한국어 ∙ македонски ∙ മലയാളം ∙ Plattdüütsch ∙ português ∙ русский ∙ sicilianu ∙ svenska ∙ 中文 ∙ 中文（简体） ∙ +/−

Lizenz

w:de:Creative Commons
Namensnennung Weitergabe unter gleichen Bedingungen
Diese Datei ist lizenziert unter der Creative-Commons-Lizenz „Namensnennung – Weitergabe unter gleichen Bedingungen 4.0 international“.
Dieses Werk darf von dir
  • verbreitet werden – vervielfältigt, verbreitet und öffentlich zugänglich gemacht werden
  • neu zusammengestellt werden – abgewandelt und bearbeitet werden
Zu den folgenden Bedingungen:
  • Namensnennung – Du musst angemessene Urheber- und Rechteangaben machen, einen Link zur Lizenz beifügen und angeben, ob Änderungen vorgenommen wurden. Diese Angaben dürfen in jeder angemessenen Art und Weise gemacht werden, allerdings nicht so, dass der Eindruck entsteht, der Lizenzgeber unterstütze gerade dich oder deine Nutzung besonders.
  • Weitergabe unter gleichen Bedingungen – Wenn du das Material wiedermischst, transformierst oder darauf aufbaust, musst du deine Beiträge unter der gleichen oder einer kompatiblen Lizenz wie das Original verbreiten.

Kurzbeschreibungen

GaN High electron mobility Transistor aus dem Ferdinand-Braun-Institut

In dieser Datei abgebildete Objekte

Motiv

Belichtungszeit

0,125 Sekunde

Brennweite

55 Millimeter

MIME-Typ

image/jpeg

Dateiversionen

Klicke auf einen Zeitpunkt, um diese Version zu laden.

Version vomVorschaubildMaßeBenutzerKommentar
aktuell14:26, 20. Mai 2020Vorschaubild der Version vom 14:26, 20. Mai 20204.752 × 3.168 (8,26 MB)wikimediacommons>FBHPRUploaded a work by FBH/P.Immerz from Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik with UploadWizard

Die folgende Seite verwendet diese Datei:

Abgerufen von „https://de.wiki.beta.math.wmflabs.org/wiki/Datei:FBH_GaN_High_electron_mobility_transistor.jpg“