Titan(IV)-bromid

Titan(IV)-bromid ist eine anorganische chemische Verbindung des Titans aus der Gruppe der Bromide.

Gewinnung und Darstellung

Titan(IV)-bromid kann durch Reaktion von Titan(IV)-chlorid mit Bromwasserstoff gewonnen werden.

$\mathrm{T}\mathrm{i}\mathrm{C}{\mathrm{l}}_{\mathrm{4}}\mathrm{+}\mathrm{4}\mathrm{H}\mathrm{B}\mathrm{r}\mathrm{⟶}\mathrm{T}\mathrm{i}\mathrm{B}{\mathrm{r}}_{\mathrm{4}}\mathrm{+}\mathrm{4}\mathrm{H}\mathrm{C}\mathrm{l}$

Andere Möglichkeiten zur Gewinnung sind die Reaktionen:

$\mathrm{T}\mathrm{i}\mathrm{+}\mathrm{2}\mathrm{B}{\mathrm{r}}_{\mathrm{2}}\mathrm{⟶}\mathrm{T}\mathrm{i}\mathrm{B}{\mathrm{r}}_{\mathrm{4}}$

$\mathrm{T}\mathrm{i}{\mathrm{O}}_{\mathrm{2}}\mathrm{+}\mathrm{2}\mathrm{C}\mathrm{+}\mathrm{2}\mathrm{B}{\mathrm{r}}_{\mathrm{2}}\mathrm{⟶}\mathrm{T}\mathrm{i}\mathrm{B}{\mathrm{r}}_{\mathrm{4}}\mathrm{+}\mathrm{2}\mathrm{C}\mathrm{O}$

$\mathrm{3}\mathrm{T}\mathrm{i}\mathrm{C}{\mathrm{l}}_{\mathrm{4}}\mathrm{+}\mathrm{4}\mathrm{B}\mathrm{B}{\mathrm{r}}_{\mathrm{3}}\mathrm{⟶}\mathrm{3}\mathrm{T}\mathrm{i}\mathrm{B}{\mathrm{r}}_{\mathrm{4}}\mathrm{+}\mathrm{4}\mathrm{B}\mathrm{C}{\mathrm{l}}_{\mathrm{3}}$

Sehr reines Titan(IV)-bromid lässt sich durch die Reaktion von Blei(II)-bromid mit Titan darstellen.

$\mathrm{2}\mathrm{P}\mathrm{b}\mathrm{B}{\mathrm{r}}_{\mathrm{2}}\mathrm{+}\mathrm{T}\mathrm{i}\mathrm{⟶}\mathrm{2}\mathrm{P}\mathrm{b}\mathrm{+}\mathrm{T}\mathrm{i}\mathrm{B}{\mathrm{r}}_{\mathrm{4}}$

Eigenschaften

Titan(IV)-bromid liegt in Form von bernsteingelben, oktaedrischen Kristalle vor. Es ist äußerst hygroskopisch, wobei dabei eine hydrolytische Zersetzung in Titan(IV)-oxid und Bromwasserstoff erfolgt. Nach Kristallisation aus der Schmelze ist seine Kristallstruktur isotyp mit Zinn(IV)-iodid mit der Vorlage:Raumgruppe (a = 1130,0 pm). Beim Lagern erfolgt eine Umwandlung in den Zinn(IV)-bromid-Typ mit der Raumgruppe Vorlage:Raumgruppe (a = 1017 pm, b = 709 pm, c = 1041 pm, β = 101,97°).

Verwendung

Titan(IV)-bromid wird für die Erzeugung von Titandisilicid-Dünnschichten auf Silicium-Substraten verwendet.